上个月，SK海力士文牍与台积电（TSMC）签署了柔和备忘录（MOU），两边就下一代HBM居品分娩和加强整合HBM与逻辑层的先进封装时间密切结合。SK海力士经营与台积电结合修复第六代HBM居品，也即是HBM4。据了解，台积电将分娩用于HBM4的基础裸片（Base Die），这是双野心对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化责任的一部分。
据AnandTech报说念，台积电在近日举办的2024欧洲时间琢磨会上暗示，将取舍N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，为HBM4提供前所未有的性能和动力效果。台积电称，正在与主要的HBM内存结合股伴联手，在先进制程上罢了HBM4的全堆栈集成，其中N12FFC+工艺不错在讲理肠能条件下具备老本上风，N5工艺则不错在更低功耗下达到HBM4预期的速率。
N5是现时最先进的制程工艺之一，用于制造最佳的CPU和GPU，期权交易当今用到存储器上属于一件大事，比起之前传言中取舍的N7工艺更为先进。期骗N5工艺，不错将更多的逻辑和功能封装到HBM4的基础裸片里，并罢了相配紧密的互连间距，这关于逻辑芯片上的告成键合至关紧要，从而提升手工智能（AI）和高性能（HPC）所需的内存性能。N12FFC+工艺源自台积电相配闇练的16nm FinFET时间，制造的HBM4基础裸片可用于构建12层及16层堆栈，分离提供48GB和64GB的容量，比起N5工艺更具性价比。
此外，台积电还在优化CoWoS-L和CoWoS-R封装时间，以守旧HBM4集成。按照SK海力士和台积电的经营，HBM4瞻望在2026年投产。